يشترى DMN2005K-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN2005K-7
- رقم القطعة:
- DMN2005K-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19091 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN2005K-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN2005K-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN2005K-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 900mV @ 100µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | DMN2005K-7-ND DMN2005K7 |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN2005K-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 2.7V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN2005K-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2005DLP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN | تحقيق |
 |
DMN2005UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8 | تحقيق |
 |
DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | تحقيق |
 |
DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | تحقيق |
 |
DMN2005LPK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN | تحقيق |
 |
DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN | تحقيق |
 |
DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563 | تحقيق |
 |
DMN2005UPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 | تحقيق |
|
DMN2005UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8 | تحقيق |
 |
DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 | تحقيق |
 |
DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 | تحقيق |
 |
DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | تحقيق |
 |
DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog