يشترى DMN2100UDM-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN2100UDM-7
- رقم القطعة:
- DMN2100UDM-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14499 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN2100UDM-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN2100UDM-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN2100UDM-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-26 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 55 mOhm @ 6A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | DMN2100UDM7 DMN2100UDMDITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN2100UDM-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 555pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-26 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN2100UDM-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFI710G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP | تحقيق |
 |
IRF7416QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN2170U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 | تحقيق |
 |
FQPF46N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F | تحقيق |
|
DMN2114SN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 | تحقيق |
 |
IRF1010ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
TPS1100PW | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
IXTQ140N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P | تحقيق |
 |
DMN21D2UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN | تحقيق |
 |
STD13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | تحقيق |
 |
SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | تحقيق |
|
DMN2112SN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 | تحقيق |
 |
ATP405-TL-HX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DPAK | تحقيق |
|
DMN2104L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 | تحقيق |
 |
NDP7050L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB | تحقيق |
 |
FQI8P10TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK | تحقيق |
 |
APT20M19JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | تحقيق |
 |
IXTK60N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog