يشترى DMN2300UFB4-7B مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN2300UFB4-7B
- رقم القطعة:
- DMN2300UFB4-7B
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14630 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN2300UFB4-7B.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN2300UFB4-7B ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN2300UFB4-7B عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | X2-DFN1006-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 175 mOhm @ 300mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 3-XFDFN |
| اسماء اخرى: | DMN2300UFB4-7BDITR DMN2300UFB47B |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN2300UFB4-7B |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 64.3pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN2300UFB4-7B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2300UFL4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN | تحقيق |
 |
IPB80P04P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | تحقيق |
 |
DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | تحقيق |
 |
IXFX44N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 | تحقيق |
 |
DMN2300UFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN | تحقيق |
 |
DMN2300UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN | تحقيق |
 |
IXFK64N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 | تحقيق |
 |
AON6407 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN | تحقيق |
|
IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3 | تحقيق |
 |
DMN2320UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 | تحقيق |
 |
BSS138N E6908 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | تحقيق |
 |
FQB19N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog