يشترى DMN3016LFDE-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN3016LFDE-13
- رقم القطعة:
- DMN3016LFDE-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15705 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN3016LFDE-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN3016LFDE-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN3016LFDE-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 11A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 730mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-UDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | DMN3016LFDE-13DI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN3016LFDE-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1415pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 25.1nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN3016LFDE-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 43A TO252 | تحقيق |
|
DMN3016LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 | تحقيق |
 |
DMN3016LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
DMN3010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 | تحقيق |
|
DMN3010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI | تحقيق |
 |
DMN3016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 | تحقيق |
 |
DMN3018SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI | تحقيق |
 |
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 | تحقيق |
|
DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO | تحقيق |
 |
DMN3016LDN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | تحقيق |
|
DMN3018SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI | تحقيق |
|
DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO | تحقيق |
|
DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO | تحقيق |
|
DMN3018SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog