يشترى DMN3730U-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN3730U-7
- رقم القطعة:
- DMN3730U-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15333 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN3730U-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN3730U-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN3730U-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 460 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 450mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | DMN3730U-7DITR DMN3730U7 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN3730U-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 64.3pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 750mA (Ta) 450mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 750mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN3730U-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF740LC | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTY2N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 | تحقيق |
 |
DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23 | تحقيق |
 |
DMN3730UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | تحقيق |
 |
IPI80N06S3-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | تحقيق |
 |
ZVP4105ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3 | تحقيق |
 |
DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | تحقيق |
 |
TPC8109(TE12L) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP | تحقيق |
 |
IRF6622TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET | تحقيق |
 |
MTM232230LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 20V 4.5A SMINI3-G1-B | تحقيق |
|
2N7002TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
APT7F120B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 | تحقيق |
 |
STP4NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 | تحقيق |
 |
NTHD4P02FT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog