يشترى DMN53D0U-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN53D0U-7
- رقم القطعة:
- DMN53D0U-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18383 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN53D0U-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN53D0U-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN53D0U-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±12V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2 Ohm @ 50mA, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 520mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | DMN53D0U-7DIDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN53D0U-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 37.1pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 50V 300mA (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 50V |
| وصف: | MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN53D0U-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN53D0LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 | تحقيق |
 |
DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | تحقيق |
 |
DMN53D0LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 | تحقيق |
 |
DMN7022LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8 | تحقيق |
|
DMN53D0L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 | تحقيق |
|
DMN53D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23 | تحقيق |
 |
DMN53D0LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 | تحقيق |
|
DMN53D0L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 | تحقيق |
|
DMN53D0LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | تحقيق |
|
DMN53D0LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V SOT323 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog