يشترى DMN55D0UT-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN55D0UT-7
- رقم القطعة:
- DMN55D0UT-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12011 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN55D0UT-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN55D0UT-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN55D0UT-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±12V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-523 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 Ohm @ 100mA, 4V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 200mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-523 |
| اسماء اخرى: | DMN55D0UT7 DMN55D0UTDITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN55D0UT-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 25pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 50V 160mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-523 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 4V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 50V |
| وصف: | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 160mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN55D0UT-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTB23N03R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | تحقيق |
 |
GKI04031 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN | تحقيق |
 |
ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | تحقيق |
 |
CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | تحقيق |
 |
PH2525L,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
BUK95150-55A,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB | تحقيق |
 |
DMN55D0UTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | تحقيق |
 |
SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | تحقيق |
 |
IRF2807ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
SI7160DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
IXTN79N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227 | تحقيق |
 |
ZVN2120A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
 |
IXTP1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB | تحقيق |
 |
IRF8721GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | تحقيق |
 |
HUF75639S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK7905-40AIE,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
NVD5490NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17A DPAK | تحقيق |
|
ZVN0124ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog