يشترى DMN65D8LFB-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN65D8LFB-7
- رقم القطعة:
- DMN65D8LFB-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14367 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN65D8LFB-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN65D8LFB-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN65D8LFB-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | X1-DFN1006-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 Ohm @ 115mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 430mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 3-UFDFN |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN65D8LFB-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 25pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 260mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN65D8LFB-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323 | تحقيق |
 |
DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | تحقيق |
 |
DMN65D8LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 | تحقيق |
 |
DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | تحقيق |
|
DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 | تحقيق |
 |
DMN65D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | تحقيق |
 |
HUFA76609D3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA | تحقيق |
|
DMN65D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | تحقيق |
|
DMN65D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 | تحقيق |
 |
BUK9675-55A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTH12N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog