DMNH10H028SK3Q-13 - Diodes Incorporated - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

رقم القطعة:: DMNH10H028SK3Q-13

الصانع:: Diodes Incorporated

وصف:: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16179 Pieces

ورقة البيانات:: DMNH10H028SK3Q-13.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMNH10H028SK3Q-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMNH10H028SK3Q-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى DMNH10H028SK3Q-13 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	4V @ 250µA
فغس (ماكس):	±20V
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	TO-252
سلسلة:	-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	28 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):	2W (Ta)
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:	DMNH10H028SK3Q-13DITR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	14 Weeks
الصانع الجزء رقم:	DMNH10H028SK3Q-13
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	2245pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	36nC @ 10V
نوع FET:	N-Channel
FET الميزة:	-
وصف موسع:	N-Channel 100V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):	10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	100V
وصف:	MOSFET N-CH 100V 55A TO252
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	55A (Tc)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لDMNH10H028SK3Q-13

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
DMNH10H028SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI	تحقيق
DMNH10H028SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506	تحقيق
DMNH10H028SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 55A TO252	تحقيق
DMNH10H028SCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار