يشترى DMS3012SFG-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMS3012SFG-7
- رقم القطعة:
- DMS3012SFG-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18703 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMS3012SFG-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMS3012SFG-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMS3012SFG-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerDI3333-8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 10 mOhm @ 13.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 890mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerWDFN |
| اسماء اخرى: | DMS3012SFG-7DITR DMS3012SFG7 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMS3012SFG-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4310pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14.7nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Schottky Diode (Body) |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMS3012SFG-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMS3014SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI | تحقيق |
 |
DMS3014SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO | تحقيق |
|
DMS3017SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO | تحقيق |
|
DMS3012SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI | تحقيق |
|
DMS3016SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO | تحقيق |
|
DMS3016SSSA-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8 | تحقيق |
|
DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | تحقيق |
|
DMS3019SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO | تحقيق |
|
DMS3016SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog