يشترى DMT3006LDK-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMT3006LDK-7
- رقم القطعة:
- DMT3006LDK-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14568 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMT3006LDK-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMT3006LDK-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMT3006LDK-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | V-DFN3030-8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.5 mOhm @ 12A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerWDFN |
| اسماء اخرى: | DMT3006LDK-7DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMT3006LDK-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1320pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 22.6nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 17.1A (Ta), 46.2A (Tc) 1.1W (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17.1A (Ta), 46.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMT3006LDK-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT3006LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI | تحقيق |
 |
DMT3006LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI | تحقيق |
 |
DMT3009LDT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 | تحقيق |
 |
DMT3004LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI | تحقيق |
|
DMT3006LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020 | تحقيق |
|
DMT3002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 100A POWERDI | تحقيق |
|
DMT3003LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 22A POWERDI | تحقيق |
|
DMT3006LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020 | تحقيق |
|
DMT3004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | تحقيق |
 |
DMT3008LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A | تحقيق |
|
DMT3008LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A | تحقيق |
|
DMT3006LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 16A POWERDI | تحقيق |
|
DMT3003LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 22A POWERDI | تحقيق |
|
DMT3004LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog