يشترى DMT6009LFG-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMT6009LFG-13
- رقم القطعة:
- DMT6009LFG-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12419 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMT6009LFG-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMT6009LFG-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMT6009LFG-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerDI3333-8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 10 mOhm @ 13.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerWDFN |
| اسماء اخرى: | DMT6009LFG-13DI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMT6009LFG-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1925pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 33.5nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333- |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMT6009LFG-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8 | تحقيق |
 |
DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | تحقيق |
 |
DMT6007LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | تحقيق |
|
DMT6008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 | تحقيق |
|
DMT6009LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 11A | تحقيق |
|
DMT6009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2 | تحقيق |
|
DMT6008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 | تحقيق |
 |
DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 22A | تحقيق |
 |
DMT6009LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB | تحقيق |
|
DMT6005LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI | تحقيق |
|
DMT6009LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | تحقيق |
 |
DMT6005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 100A TO220AB | تحقيق |
|
DMT6004SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | تحقيق |
|
DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog