يشترى DMT8012LSS-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMT8012LSS-13
- رقم القطعة:
- DMT8012LSS-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15582 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMT8012LSS-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMT8012LSS-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMT8012LSS-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16.5 mOhm @ 12A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.5W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | DMT8012LSS-13DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMT8012LSS-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1949pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 34nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
| وصف: | MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMT8012LSS-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TP5322N8-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3 | تحقيق |
 |
DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | تحقيق |
 |
DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 | تحقيق |
 |
DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 | تحقيق |
|
DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 | تحقيق |
 |
STP9NK70ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220FP | تحقيق |
 |
SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L | تحقيق |
 |
FDT458P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 | تحقيق |
 |
BUK7608-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
SIHP8N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB | تحقيق |
 |
NDD04N60ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK | تحقيق |
 |
BSS138W L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog