يشترى DMTH6010LK3-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMTH6010LK3-13
- رقم القطعة:
- DMTH6010LK3-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15853 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMTH6010LK3-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMTH6010LK3-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMTH6010LK3-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | DMTH6010LK3-13DIDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMTH6010LK3-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2090pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 41.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 14.8A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 14.8A (Ta), 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMTH6010LK3-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 | تحقيق |
 |
DMTH6010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13.5A | تحقيق |
 |
DMTH6010SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU | تحقيق |
 |
DMTH6016LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC | تحقيق |
|
DMTH6010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 16.3A TO252 | تحقيق |
|
DMTH6010LPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI | تحقيق |
|
DMTH6010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 | تحقيق |
|
DMTH6016LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | تحقيق |
|
DMTH6010SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 16.3A | تحقيق |
|
DMTH6016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | تحقيق |
|
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog