العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > DPG10I400PA
DPG10I400PA
DPG10I400PA
رقم القطعة:
DPG10I400PA
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15924 Pieces
ورقة البيانات:
DPG10I400PA.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DPG10I400PA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DPG10I400PA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DPG10I400PA مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.32V @ 10A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):400V
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AC
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:HiPerFRED™
عكس وقت الاسترداد (TRR):45ns
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-2
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-55°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:DPG10I400PA
وصف موسع:Diode Standard 400V 10A Through Hole TO-220AC
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:1µA @ 400V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):10A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لDPG10I400PA

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
GB02SHT01-46 Image GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 100V 4A تحقيق
DPG10I400PM IXYS DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP تحقيق
DPG10I200PA Image DPG10I200PA IXYS DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC تحقيق
CLH05,LMBJQ(O Toshiba Semiconductor and Storage DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT تحقيق
DPG10I200PM IXYS DIODE GEN PURP 200V 10A TO220FP تحقيق
1N6675 Image 1N6675 Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 20V 200MA DO35 تحقيق
1N4002 Image 1N4002 Fairchild/ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 تحقيق
RO 2ZV1 Sanken DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL تحقيق
DPG10I300PA Image DPG10I300PA IXYS DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC تحقيق
8EWF02S Image 8EWF02S Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK تحقيق
FESB16FT-E3/45 Image FESB16FT-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB تحقيق
DPG10P400PJ IXYS DIODE ARRAY 400V 10A ISOPLUS220 تحقيق
ES3BHE3_A/H Image ES3BHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE UFAST 100V 3A DO214AB تحقيق
NRVBS2040LT3G Image NRVBS2040LT3G ON Semiconductor DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB تحقيق
1N3889 Image 1N3889 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 تحقيق
SK38BE3/TR13 Image SK38BE3/TR13 Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 80V 3A SMB تحقيق
DPG10IM300UC IXYS DIODE GEN PURP 300V 10A TO252 تحقيق

Latest الأخبار