يشترى DSK10E-ET1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSK10E-ET1
- رقم القطعة:
- DSK10E-ET1
- وصف:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13178 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSK10E-ET1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSK10E-ET1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSK10E-ET1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 1A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 400V |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | R-1 (Axial) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DSK10E-ET1 |
| وصف موسع: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 400V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSK10E-ET1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GP2D006A065C | Global Power Technologies Group | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2 | تحقيق |
 |
DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSK10E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
1SS427,L3M | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923 | تحقيق |
|
DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
USC1306 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
SMD220HE-TP | Micro Commercial Co | DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123HE | تحقيق |
|
DSK10E-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSR6U600D1-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 | تحقيق |
|
DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
121NQ040 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 40V 120A HALF-PAK | تحقيق |
|
DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
MUR260RL | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog