يشترى EM6K6T2R مع BYCHPS
شراء مع ضمان
EM6K6T2R
- رقم القطعة:
- EM6K6T2R
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16646 Pieces
- ورقة البيانات:
- EM6K6T2R.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EM6K6T2R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EM6K6T2R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | EMT6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1 Ohm @ 300mA, 4V |
| السلطة - ماكس: | 150mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى: | EM6K6T2RTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | EM6K6T2R |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 25pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 300mA 150mW Surface Mount EMT6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEM6K6T2R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FMM22-06PF | IXYS | MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC | تحقيق |
 |
SI4230DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | تحقيق |
 |
ALD212904SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | تحقيق |
|
VQ1006P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | تحقيق |
 |
DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
SIB911DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6 | تحقيق |
 |
IRF7307QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC | تحقيق |
 |
PMWD20XN,118 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP | تحقيق |
|
SI4913DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMG6898LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO | تحقيق |
|
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.1A | تحقيق |
|
GWM180-004X2-SL | IXYS | MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD | تحقيق |
 |
VEC2415-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 | تحقيق |
|
SI9936BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog