EMF21T2R - Rohm Semiconductor - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح EMF21T2R

EMF21T2R

رقم القطعة:: EMF21T2R

الصانع:: LAPIS Semiconductor

وصف:: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17873 Pieces

ورقة البيانات:: EMF21T2R.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EMF21T2R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EMF21T2R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى EMF21T2R مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V, 12V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
نوع الترانزستور:	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
تجار الأجهزة حزمة:	EMT6
سلسلة:	-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):	10k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):	10k
السلطة - ماكس:	150mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:	EMF21T2R-ND EMF21T2RTR
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	EMF21T2R
تردد - تحول:	250MHz, 260MHz
وصف موسع:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
وصف:	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA, 500mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لEMF21T2R

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
IMH20TR1	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC74R	تحقيق
DMC564000R	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6	تحقيق
BCR119SH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	تحقيق
PUMH4,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP	تحقيق
SMUN5112DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار