EMF22T2R - Rohm Semiconductor - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح EMF22T2R

EMF22T2R

رقم القطعة:: EMF22T2R

الصانع:: LAPIS Semiconductor

وصف:: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17268 Pieces

ورقة البيانات:: EMF22T2R.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EMF22T2R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EMF22T2R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى EMF22T2R مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V, 12V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
نوع الترانزستور:	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
تجار الأجهزة حزمة:	EMT6
سلسلة:	-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):	10k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):	10k
السلطة - ماكس:	150mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SOT-563, SOT-666
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	EMF22T2R
تردد - تحول:	250MHz, 320MHz
وصف موسع:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
وصف:	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA, 500mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لEMF22T2R

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
RN1908FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	تحقيق
UP0411200L	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6	تحقيق
PQMD12Z	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN	تحقيق
EMH6T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار