العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
رقم القطعة:
EPC2025ENGR
الصانع:
EPC
وصف:
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14400 Pieces
ورقة البيانات:
EPC2025ENGR.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2025ENGR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2025ENGR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC2025ENGR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 1mA
تكنولوجيا:GaNFET (Gallium Nitride)
تجار الأجهزة حزمة:Die Outline (12-Solder Bar)
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:150 mOhm @ 3A, 5V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:EPC2025ENGR
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:194pF @ 240V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1.85nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):300V
وصف:TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لEPC2025ENGR

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE تحقيق
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2025 Image EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE تحقيق
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE تحقيق
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE تحقيق
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE تحقيق
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE تحقيق
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE تحقيق
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE تحقيق
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE تحقيق
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE تحقيق
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE تحقيق

Latest الأخبار