EPC2035
EPC2035
رقم القطعة:
EPC2035
الصانع:
EPC
وصف:
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17794 Pieces
ورقة البيانات:
1.EPC2035.pdf2.EPC2035.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2035 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2035 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC2035 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 800µA
فغس (ماكس):+6V, -4V
تكنولوجيا:GaNFET (Gallium Nitride)
تجار الأجهزة حزمة:Die
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:45 mOhm @ 1A, 5V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-1099-2
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:EPC2035
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:115pF @ 30V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1.15nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات