يشترى EPC2035 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 800µA |
---|---|
فغس (ماكس): | +6V, -4V |
تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
تجار الأجهزة حزمة: | Die |
سلسلة: | eGaN® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 45 mOhm @ 1A, 5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | - |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | Die |
اسماء اخرى: | 917-1099-2 |
درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | EPC2035 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 115pF @ 30V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.15nC @ 5V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 5V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
وصف: | TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
Email: | [email protected] |