العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > EPC8010
EPC8010
EPC8010
رقم القطعة:
EPC8010
الصانع:
EPC
وصف:
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12325 Pieces
ورقة البيانات:
1.EPC8010.pdf2.EPC8010.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC8010 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC8010 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC8010 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
فغس (ماكس):+6V, -4V
تكنولوجيا:GaNFET (Gallium Nitride)
تجار الأجهزة حزمة:Die
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:160 mOhm @ 500mA, 5V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-1086-2
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:EPC8010
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:55pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:0.48nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لEPC8010

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
EPC8009 Image EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE تحقيق
EPC8009ENGR Image EPC8009ENGR EPC TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE تحقيق
EPC8002ENGR Image EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE تحقيق
EPC8003ENGR Image EPC8003ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE تحقيق
EPC8010ENGR Image EPC8010ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE تحقيق
EPC8008ENGR Image EPC8008ENGR EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE تحقيق
FDD6760A Image FDD6760A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET NCH 25V 27A DPAK تحقيق
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE تحقيق
NVMFS5C430NLT3G Image NVMFS5C430NLT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL تحقيق
EPC8007ENGR Image EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE تحقيق
EPC8004ENGR Image EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE تحقيق
DMN3032LE-13 Image DMN3032LE-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 تحقيق
TPH3206LD Image TPH3206LD Transphorm GAN FET 600V 17A PQFN88 تحقيق
EPC8004 Image EPC8004 EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE تحقيق
IXFK30N100Q2 Image IXFK30N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264 تحقيق
FQD10N20LTF Image FQD10N20LTF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK تحقيق
EPC8005ENGR Image EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE تحقيق
IRFR430APBF Image IRFR430APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A DPAK تحقيق
NTD4806N-35G Image NTD4806N-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11A IPAK تحقيق

Latest الأخبار