العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > ES6U2T2R
ES6U2T2R
ES6U2T2R
رقم القطعة:
ES6U2T2R
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18477 Pieces
ورقة البيانات:
ES6U2T2R.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ES6U2T2R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ES6U2T2R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى ES6U2T2R مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 1mA
فغس (ماكس):±10V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:6-WEMT
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):700mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:ES6U2T2R
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:110pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1.8nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Isolated)
وصف موسع:N-Channel 20V 1.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لES6U2T2R

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTQ36N30P Image IXTQ36N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P تحقيق
SI4102DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC تحقيق
IRF7416QTRPBF Image IRF7416QTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC تحقيق
NP160N04TUJ-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 تحقيق
FQB12P20TM Image FQB12P20TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK تحقيق
IXTK60N50L2 Image IXTK60N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 تحقيق
RCX450N20 Image RCX450N20 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 200V 45A TO220 تحقيق
TK16J60W,S1VQ Image TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N) تحقيق
NTMFS4923NET3G Image NTMFS4923NET3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL تحقيق
IRFR2905ZTRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK تحقيق
TPS1100PW Texas Instruments MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP تحقيق
IRF1010ZS Image IRF1010ZS Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
APT20M19JVR Image APT20M19JVR Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 تحقيق
NTMFS4833NST1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL تحقيق
IRFI710G Image IRFI710G Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP تحقيق
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE تحقيق
IXFY5N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 5A TO-252 تحقيق
IXTN102N65X2 Image IXTN102N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 تحقيق
IXFH40N85X Image IXFH40N85X IXYS MOSFET NCH 850V 40A TO247 تحقيق
IRL2505SPBF Image IRL2505SPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار