يشترى FCD5N60TM_WS مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FCD5N60TM_WS
- رقم القطعة:
- FCD5N60TM_WS
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12949 Pieces
- ورقة البيانات:
- FCD5N60TM_WS.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FCD5N60TM_WS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FCD5N60TM_WS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | SuperFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 950 mOhm @ 2.3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 54W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | FCD5N60TM_WSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FCD5N60TM_WS |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 4.6A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFCD5N60TM_WS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH12N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | تحقيق |
 |
FCD5N60_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | تحقيق |
|
FCD5N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | تحقيق |
 |
FDB8445 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | تحقيق |
 |
NTHS4501NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET | تحقيق |
|
FCD5N60TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | تحقيق |
 |
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | تحقيق |
 |
IRLZ24NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
HAT2279H-EL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK | تحقيق |
 |
FQU2N100TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK | تحقيق |
 |
FQP7N80C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220 | تحقيق |
 |
APT66F60B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | تحقيق |
 |
TPC8111(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog