FDB13AN06A0
FDB13AN06A0
رقم القطعة:
FDB13AN06A0
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14201 Pieces
ورقة البيانات:
FDB13AN06A0.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDB13AN06A0 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDB13AN06A0 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FDB13AN06A0 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D²PAK (TO-263AB)
سلسلة:PowerTrench®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:13.5 mOhm @ 62A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):115W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:FDB13AN06A0-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:9 Weeks
الصانع الجزء رقم:FDB13AN06A0
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1350pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:29nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):6V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10.9A (Ta), 62A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات