FDB86360_F085
FDB86360_F085
رقم القطعة:
FDB86360_F085
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15966 Pieces
ورقة البيانات:
FDB86360_F085.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDB86360_F085 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDB86360_F085 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FDB86360_F085 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D²PAK (TO-263AB)
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.8 mOhm @ 80A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):333W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:FDB86360_F085DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:FDB86360_F085
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:14600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:253nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):80V
وصف:MOSFET N-CH 80V 110A TO263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات