يشترى FDC3601N مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FDC3601N
- رقم القطعة:
- FDC3601N
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14968 Pieces
- ورقة البيانات:
- FDC3601N.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDC3601N ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDC3601N عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SuperSOT™-6 |
| سلسلة: | PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 500 mOhm @ 1A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 700mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | FDC3601N-ND FDC3601NTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FDC3601N |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 153pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDC3601N
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDC3616N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6 | تحقيق |
 |
SP8K2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF9952TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
TT8J3TR | Rohm Semiconductor | 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET | تحقيق |
 |
FDC3612_F095 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT | تحقيق |
 |
FDMS3668S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN | تحقيق |
|
FDC365P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT | تحقيق |
 |
XN0187200L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5 | تحقيق |
 |
AON6926 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN | تحقيق |
 |
FW813-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP | تحقيق |
|
FDC3612 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6 | تحقيق |
|
FDG6332C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | تحقيق |
 |
SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog