العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FDFS6N303
FDFS6N303
FDFS6N303
رقم القطعة:
FDFS6N303
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14595 Pieces
ورقة البيانات:
FDFS6N303.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDFS6N303 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDFS6N303 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FDFS6N303 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:35 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):900mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:FDFS6N303_NL
FDFS6N303_NLTR
FDFS6N303_NLTR-ND
FDFS6N303TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:FDFS6N303
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:350pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:17nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Isolated)
وصف موسع:N-Channel 30V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFDFS6N303

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRLL024NTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 تحقيق
IXTP10N60PM Image IXTP10N60PM IXYS MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 تحقيق
IXTH260N055T2 Image IXTH260N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 260A TO-247 تحقيق
DMP6350S-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23 تحقيق
NDC652P Image NDC652P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6 تحقيق
SPI11N60C3HKSA1 Image SPI11N60C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 تحقيق
JANTXV2N6788U Microsemi Corporation MOSFET N-CH 100V 4.5A تحقيق
FDFS6N548 Image FDFS6N548 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC تحقيق
FDPF44N25T Image FDPF44N25T Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F تحقيق
FKI06075 Image FKI06075 Sanken MOSFET N-CH 60V 52A TO-220F تحقيق
FDFME2P823ZT Image FDFME2P823ZT Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET تحقيق
IPB019N06L3 G Image IPB019N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 تحقيق
NTD60N03T4 Image NTD60N03T4 ON Semiconductor MOSFET N-CH 28V 60A DPAK تحقيق
IXFV30N60PS IXYS MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD تحقيق
IXFV110N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 تحقيق
IXTH36P15P Image IXTH36P15P IXYS MOSFET P-CH 150V 36A TO-247 تحقيق
STL160N3LLH6 Image STL160N3LLH6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56 تحقيق
IXFP5N100P Image IXFP5N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 تحقيق
FDFS6N754 Image FDFS6N754 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC تحقيق
JANTXV2N7224U Microsemi Corporation MOSFET N-CH 100V 34A تحقيق

Latest الأخبار