FDG312P
رقم القطعة:
FDG312P
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14802 Pieces
ورقة البيانات:
FDG312P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDG312P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDG312P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FDG312P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SC-70-6
سلسلة:PowerTrench®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):750mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:FDG312P-ND
FDG312PTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:9 Weeks
الصانع الجزء رقم:FDG312P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:330pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:5nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.2A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات