يشترى FDP047AN08A0_F102 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FDP047AN08A0_F102
- رقم القطعة:
- FDP047AN08A0_F102
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16620 Pieces
- ورقة البيانات:
- FDP047AN08A0_F102.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDP047AN08A0_F102 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDP047AN08A0_F102 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 310W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FDP047AN08A0_F102 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 75V 310W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 75V |
| وصف: | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDP047AN08A0_F102
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDP047AN08A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTK90N25L2 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 90A TO-264 | تحقيق |
 |
IRF7477TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | تحقيق |
 |
JAN2N6764T1 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-254AA | تحقيق |
|
FDP047N08 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 164A TO-220 | تحقيق |
 |
IRLZ34STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | تحقيق |
|
FDP047N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 | تحقيق |
|
FDP045N10A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3 | تحقيق |
 |
IRFR9110 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK | تحقيق |
|
IRF9393TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRLI520NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP | تحقيق |
 |
AOL1418 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO | تحقيق |
|
FDP045N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3 | تحقيق |
|
FDP040N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog