العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FDP8030L
FDP8030L
رقم القطعة:
FDP8030L
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19227 Pieces
ورقة البيانات:
1.FDP8030L.pdf2.FDP8030L.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDP8030L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDP8030L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FDP8030L مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220-3
سلسلة:PowerTrench®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.5 mOhm @ 80A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):187W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:FDP8030L-ND
FDP8030LFS
درجة حرارة التشغيل:-65°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:9 Weeks
الصانع الجزء رقم:FDP8030L
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:10500pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:170nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFDP8030L

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
STB13NM60N Image STB13NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK تحقيق
FQPF7N20L Image FQPF7N20L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 5A TO-220F تحقيق
FQD13N06TF Image FQD13N06TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 10A DPAK تحقيق
FDP80N06 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 تحقيق
PHM21NQ15T,518 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON تحقيق
RQ5L015SPTL Image RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT تحقيق
IRF7205TRPBF Image IRF7205TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC تحقيق
BUK7Y65-100EX Image BUK7Y65-100EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK تحقيق
IRFZ44Z Image IRFZ44Z Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB تحقيق
CSD19536KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V TO-220 تحقيق
FQPF13N50 Image FQPF13N50 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F تحقيق
CSD18532NQ5BT Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A تحقيق
CSD18533KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 تحقيق
IRLZ34NS Image IRLZ34NS Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK تحقيق
NTD30N02G Image NTD30N02G ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 30A DPAK تحقيق
IRFBF30STRR Image IRFBF30STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK تحقيق
IXTH160N10T Image IXTH160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 تحقيق
DMT5015LFDF-7 Image DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN تحقيق
AON6482 Image AON6482 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN تحقيق
AUIRFS4115TRL Image AUIRFS4115TRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار