يشترى FDS2070N7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FDS2070N7
- رقم القطعة:
- FDS2070N7
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14680 Pieces
- ورقة البيانات:
- FDS2070N7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDS2070N7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDS2070N7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 78 mOhm @ 4.1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | FDS2070N7_NL FDS2070N7_NLTR FDS2070N7_NLTR-ND FDS2070N7TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FDS2070N7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1884pF @ 75V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 53nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 4.1A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDS2070N7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 | تحقيق |
 |
SKI03036 | Sanken | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
FDS2070N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STB155N3LH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
AOTF12N65A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 12A TO220F | تحقيق |
 |
NTP22N06L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB | تحقيق |
 |
IRFZ44E | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB | تحقيق |
 |
BUK7909-75AIE,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | تحقيق |
 |
IRF7240PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFT12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 | تحقيق |
 |
NVMFS5C682NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V SO8FL | تحقيق |
 |
IPB025N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 | تحقيق |
 |
IRFP21N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | تحقيق |
 |
IRFBC40L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 | تحقيق |
 |
DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 | تحقيق |
 |
STP45NE06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 45A TO-220 | تحقيق |
 |
APTM120DA56T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog