يشترى FDS8333C مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FDS8333C
- رقم القطعة:
- FDS8333C
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13623 Pieces
- ورقة البيانات:
- FDS8333C.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDS8333C ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDS8333C عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 80 mOhm @ 4.1A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 900mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FDS8333C |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 282pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.1A, 3.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDS8333C
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AO8814#A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP | تحقيق |
 |
APTM100DDA35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | تحقيق |
 |
TPIC1502DW | Texas Instruments | MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW | تحقيق |
 |
DMN4034SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO | تحقيق |
 |
APTM10TDUM19PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | تحقيق |
|
AO4614B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN | تحقيق |
 |
ALD210804PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | تحقيق |
 |
NVMD6N04R2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
QS8K21TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8 | تحقيق |
|
AO4806L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog