يشترى FGA50N100BNTDTU مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FGA50N100BNTDTU
- رقم القطعة:
- FGA50N100BNTDTU
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12225 Pieces
- ورقة البيانات:
- FGA50N100BNTDTU.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FGA50N100BNTDTU ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FGA50N100BNTDTU عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1000V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.9V @ 15V, 60A |
| اختبار حالة: | - |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | - |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 1.5µs |
| السلطة - ماكس: | 156W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FGA50N100BNTDTU |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT and Trench |
| بوابة المسؤول: | 275nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P |
| وصف: | IGBT 1000V 50A 156W TO3P |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 100A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 50A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFGA50N100BNTDTU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FGA50N100BNTD2 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO3P | تحقيق |
 |
SKP06N60XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 68W TO220-3 | تحقيق |
|
FGA50S110P | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1100V 50A 300W TO3PN | تحقيق |
|
FGA5065ADF | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 100A TO-3PN | تحقيق |
 |
IXGT40N60B2 | IXYS | IGBT 600V 75A 300W TO268 | تحقيق |
 |
APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
FGA50N100BNTTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO3P | تحقيق |
|
IXGT15N120C | IXYS | IGBT 1200V 30A 150W TO268 | تحقيق |
|
FGA50T65SHD | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 100A 319W TO-3PN | تحقيق |
 |
IXYH50N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 100A 750W TO247AD | تحقيق |
 |
AUIRGDC0250 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 141A 543W TO-220 | تحقيق |
 |
IXBH10N170 | IXYS | IGBT 1700V 20A 140W TO247AD | تحقيق |
 |
STGP3NB60HD | STMicroelectronics | IGBT 600V 10A 50W TO220 | تحقيق |
|
FGA50N60LS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 100A 240W TO3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog