يشترى FGB30N6S2DT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FGB30N6S2DT
- رقم القطعة:
- FGB30N6S2DT
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 600V 45A 167W TO263AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13981 Pieces
- ورقة البيانات:
- FGB30N6S2DT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FGB30N6S2DT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FGB30N6S2DT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 12A |
| اختبار حالة: | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 6ns/40ns |
| تحويل الطاقة: | 55µJ (on), 100µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AB |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 46ns |
| السلطة - ماكس: | 167W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | FGB30N6S2DT_NL FGB30N6S2DT_NL-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FGB30N6S2DT |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 23nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB |
| وصف: | IGBT 600V 45A 167W TO263AB |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 108A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 45A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFGB30N6S2DT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FGB3040G2_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 400V 41A TO263 | تحقيق |
 |
FGB30N6S2D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | تحقيق |
 |
IRGBC20FD2 | Infineon Technologies | IGBT W/DIODE 600V 16A TO-220AB | تحقيق |
|
FGB30N6S2 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | تحقيق |
|
FGB30N6S2T | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | تحقيق |
 |
IXGH6N170 | IXYS | IGBT 1700V 12A 75W TO247 | تحقيق |
 |
FGB3040CS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 430V 21A 150W TO263-6 | تحقيق |
 |
NGD8201NT4 | ON Semiconductor | IGBT 440V 20A 125W DPAK | تحقيق |
 |
IXGR120N60C2 | IXYS | IGBT 600V 75A 300W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
STGWT30H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 30A 260W TO3PL | تحقيق |
|
IRG4BC30UDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 23A 100W TO220AB | تحقيق |
 |
IXSX40N60CD1 | IXYS | IGBT 600V 75A 280W PLUS247 | تحقيق |
 |
SGP30N60HSXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 41A 250W TO220-3 | تحقيق |
|
HGT1S7N60C3DS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 14A 60W TO263AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog