يشترى FGB40N6S2T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FGB40N6S2T
- رقم القطعة:
- FGB40N6S2T
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 600V 75A 290W TO263AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14794 Pieces
- ورقة البيانات:
- FGB40N6S2T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FGB40N6S2T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FGB40N6S2T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.7V @ 15V, 20A |
| اختبار حالة: | 390V, 20A, 3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 8ns/35ns |
| تحويل الطاقة: | 115µJ (on), 195µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AB |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 290W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | FGB40N6S2T_NL FGB40N6S2T_NLTR FGB40N6S2T_NLTR-ND FGB40N6S2TTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FGB40N6S2T |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 35nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 75A 290W Surface Mount TO-263AB |
| وصف: | IGBT 600V 75A 290W TO263AB |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 180A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 75A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFGB40N6S2T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGP4750DPBF | Infineon Technologies | IGBT 650V TO-247 | تحقيق |
 |
STGB40H65FB | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | تحقيق |
 |
FGB40N6S2 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 75A 290W TO263AB | تحقيق |
|
FGB40N60SM | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 349W D2PAK | تحقيق |
 |
IXGH30N60C2D1 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO247 | تحقيق |
 |
IXGC16N60B2 | IXYS | IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IXGA7N60CD1 | IXYS | IGBT 600V 14A 75W TO263 | تحقيق |
 |
SGP04N60XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 | تحقيق |
 |
FGB40T65SPD_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
RJP4301APP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 430V TO200FL | تحقيق |
 |
FGH60N60SMD_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 120A 600W TO247 | تحقيق |
 |
IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 8A 75W TO252 | تحقيق |
 |
IXXX300N60C3 | IXYS | IGBT 600V 510A 2300W TO247 | تحقيق |
|
IKA06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 10A 28W TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog