يشترى FGD3N60UNDF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FGD3N60UNDF
- رقم القطعة:
- FGD3N60UNDF
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 600V 6A 60W DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12871 Pieces
- ورقة البيانات:
- FGD3N60UNDF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FGD3N60UNDF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FGD3N60UNDF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.52V @ 15V, 3A |
| اختبار حالة: | 400V, 3A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 5.5ns/22ns |
| تحويل الطاقة: | 52µJ (on), 30µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 21ns |
| السلطة - ماكس: | 60W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | FGD3N60UNDFTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 35 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FGD3N60UNDF |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 1.6nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 600V 6A 60W Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| وصف: | IGBT 600V 6A 60W DPAK |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 9A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFGD3N60UNDF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | تحقيق |
 |
STGF30H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 37W TO220FP | تحقيق |
 |
IXGK50N60C2D1 | IXYS | IGBT 600V 75A 480W TO264AA | تحقيق |
 |
FGH50T65UPD | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 100A 340W TO-247AB | تحقيق |
 |
IXGH30N60C3D1 | IXYS | IGBT 600V 60A 220W TO247 | تحقيق |
 |
FGD3N60LSDTM | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 40W DPAK | تحقيق |
 |
FGPF30N30DTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 46W TO220F | تحقيق |
 |
IXYH16N170C | IXYS | 1700V/40A HIGH VOLTAGE XPT IGBT, | تحقيق |
|
IRG4RC10KD | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 38W DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog