يشترى FK8V03030L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FK8V03030L
- رقم القطعة:
- FK8V03030L
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- MOSFET N CH 33V 12A WMINI8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14931 Pieces
- ورقة البيانات:
- FK8V03030L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FK8V03030L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FK8V03030L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1.73mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | WMini8-F1 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FK8V03030L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1100pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 33V 12A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount WMini8-F1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 33V |
| وصف: | MOSFET N CH 33V 12A WMINI8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFK8V03030L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL7437TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO-262 | تحقيق |
 |
FK8V03060L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8 | تحقيق |
|
FK8V03050L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 33V 8A WMINI8-F1 | تحقيق |
 |
FDPF5N50NZU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 3.9A TO-220F | تحقيق |
 |
RJK0349DSP-00#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP | تحقيق |
|
FK8V03020L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 33V 14A WMINI8 | تحقيق |
|
FK8V03040L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1 | تحقيق |
 |
IRF630NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | تحقيق |
 |
SSM3J304T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM | تحقيق |
 |
SIE832DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK | تحقيق |
 |
STH265N6F6-2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 | تحقيق |
 |
NTB6410ANG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog