يشترى FKI06190 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FKI06190
- رقم القطعة:
- FKI06190
- الصانع:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18183 Pieces
- ورقة البيانات:
- FKI06190.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FKI06190 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FKI06190 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 350µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220F |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 15.3 mOhm @ 19.8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 32W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| اسماء اخرى: | FKI06190 DK |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FKI06190 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1510pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 23.7nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 30A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFKI06190
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF3504 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 87A TO-220AB | تحقيق |
 |
CSD19506KTTT | Texas Instruments | IC MOSFET N-CH 80V TO-220 | تحقيق |
 |
FKI06051 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F | تحقيق |
|
CSD18537NQ5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 50A 8SON | تحقيق |
 |
FQPF4N20L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A TO-220F | تحقيق |
|
FKI06108 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 39A TO-220F | تحقيق |
 |
FQU4N50TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK | تحقيق |
 |
STP6NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 | تحقيق |
 |
NTMFS4823NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL | تحقيق |
|
STP2NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 | تحقيق |
 |
TK12Q60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK | تحقيق |
 |
SI7447ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
APT31N60BCSG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 | تحقيق |
 |
IRL3714STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | تحقيق |
|
FKI06269 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 24A TO-220F | تحقيق |
|
FKI06075 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 52A TO-220F | تحقيق |
 |
BUZ80A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB | تحقيق |
 |
FQA46N15_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P | تحقيق |
 |
SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog