يشترى FKI10126 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FKI10126
- رقم القطعة:
- FKI10126
- الصانع:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17892 Pieces
- ورقة البيانات:
- FKI10126.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FKI10126 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FKI10126 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220F |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11.6 mOhm @ 33A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 42W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| اسماء اخرى: | FKI10126 DK |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FKI10126 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6420pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 88.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 41A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFKI10126
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RTL035N03TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 | تحقيق |
 |
IXTV22N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
FKI10198 | Sanken | MOSFET N-CH 100V 31A TO-220F | تحقيق |
 |
BSC094N03S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 | تحقيق |
 |
SI5858DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
DMP6350S-13 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 60V 1.5A SOT23 | تحقيق |
|
FKI10531 | Sanken | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F | تحقيق |
 |
ZXMN3B04N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC | تحقيق |
 |
BUZ32 H | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 | تحقيق |
 |
STL12P6F6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT | تحقيق |
|
FKI10300 | Sanken | MOSFET N-CH 100V 23A TO-220F | تحقيق |
 |
IRFR1N60ATRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | تحقيق |
 |
AUIRF1010EZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
SSM3J353F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE | تحقيق |
|
IRF2807ZSTRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK9M17-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK | تحقيق |
 |
IPW65R420CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247 | تحقيق |
|
IRF720STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK | تحقيق |
|
AUIRFZ44ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog