العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > FMN-G12S
FMN-G12S
FMN-G12S
رقم القطعة:
FMN-G12S
الصانع:
Sanken Electric Co., Ltd.
وصف:
DIODE GEN PURP 200V 5A TO220F-2L
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14872 Pieces
ورقة البيانات:
FMN-G12S.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FMN-G12S ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FMN-G12S عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FMN-G12S مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:920mV @ 5A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):200V
تجار الأجهزة حزمة:TO-220F-2L
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):100ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-220-2 Full Pack
اسماء اخرى:FMN-G12S DK
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-40°C ~ 150°C
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:FMN-G12S
وصف موسع:Diode Standard 200V 5A Through Hole TO-220F-2L
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 200V 5A TO220F-2L
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:100µA @ 200V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):5A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFMN-G12S

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
6A02B-G Image 6A02B-G Comchip Technology DIODE GEN PURP 200V 6A R6 تحقيق
SS1P3LHM3/85A Image SS1P3LHM3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO220AA تحقيق
1N4154_T50R Image 1N4154_T50R Fairchild/ON Semiconductor DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 تحقيق
UPS760/TR13 Image UPS760/TR13 Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERMITE تحقيق
FMN-G14S Image FMN-G14S Sanken DIODE GEN PURP 400V 5A TO220F-2L تحقيق
FMN-2206S Image FMN-2206S Sanken DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220F تحقيق
IDB06S60C Image IDB06S60C Infineon Technologies DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK تحقيق
FMN-1106S Image FMN-1106S Sanken DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F تحقيق
RF101L2STE25 Image RF101L2STE25 Rohm Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS تحقيق
FMN-4306S Image FMN-4306S Sanken DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3PF تحقيق
JAN1N5620 Image JAN1N5620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL تحقيق
SE10DGHM3/I Image SE10DGHM3/I Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC تحقيق
CDBA260-HF Image CDBA260-HF Comchip Technology DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC تحقيق
FMN-3306S Sanken DIODE GEN PURP 600V 30A TO3PF تحقيق
JANTXV1N5614 Image JANTXV1N5614 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL تحقيق
FMN-1206S Image FMN-1206S Sanken DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F تحقيق
SE10FDHM3/I Image SE10FDHM3/I Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB تحقيق
FMNS-1106S Image FMNS-1106S Sanken DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F تحقيق
1SS389,H3F Image 1SS389,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC تحقيق
FMN-1056S Image FMN-1056S Sanken DIODE GEN PURP 600V 5A TO220-2 تحقيق

Latest الأخبار