العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FQA11N90C_F109
FQA11N90C_F109
FQA11N90C_F109
رقم القطعة:
FQA11N90C_F109
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16632 Pieces
ورقة البيانات:
FQA11N90C_F109.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQA11N90C_F109 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQA11N90C_F109 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQA11N90C_F109 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.1 Ohm @ 5.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
اسماء اخرى:FQA11N90CF109
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:FQA11N90C_F109
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3290pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:80nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):900V
وصف:MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFQA11N90C_F109

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
AON7202 Image AON7202 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN تحقيق
FQA11N90C Image FQA11N90C Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P تحقيق
FQA11N90 Image FQA11N90 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P تحقيق
IRFBF30L Image IRFBF30L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262 تحقيق
SI7382DP-T1-GE3 Image SI7382DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 تحقيق
BUK652R7-30C,127 Image BUK652R7-30C,127 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB تحقيق
FQA11N90_F109 Image FQA11N90_F109 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P تحقيق
SI5433BDC-T1-E3 Image SI5433BDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 تحقيق
FDZ197PZ Image FDZ197PZ Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP تحقيق
IRL3502S Image IRL3502S Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK تحقيق
PH2520U,115 Image PH2520U,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK تحقيق
FDBL0110N60 Image FDBL0110N60 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 300A تحقيق
FDA79N15 Image FDA79N15 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P تحقيق

Latest الأخبار