يشترى FQA36P15 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FQA36P15
- رقم القطعة:
- FQA36P15
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14664 Pieces
- ورقة البيانات:
- FQA36P15.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQA36P15 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQA36P15 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3PN |
| سلسلة: | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 90 mOhm @ 18A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 294W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 19 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FQA36P15 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3320pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 105nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 150V 36A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFQA36P15
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQA11N90C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | تحقيق |
 |
IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | تحقيق |
 |
STP8NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTK160N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 | تحقيق |
 |
IXFR70N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
NTA4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | تحقيق |
|
FQA36P15_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P | تحقيق |
 |
SIHG16N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC | تحقيق |
 |
SI1417EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6 | تحقيق |
 |
IXTX24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | تحقيق |
 |
STW12N120K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 | تحقيق |
 |
APT42F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 | تحقيق |
 |
BS108,126 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 | تحقيق |
|
STW42N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 | تحقيق |
|
IXFK88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-264 | تحقيق |
|
STW72N60DM2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 66A | تحقيق |
 |
SI5404BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 | تحقيق |
 |
SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | تحقيق |
 |
TPH14006NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog