يشترى FQB8N60CTM_WS مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FQB8N60CTM_WS
- رقم القطعة:
- FQB8N60CTM_WS
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 7.5A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14740 Pieces
- ورقة البيانات:
- FQB8N60CTM_WS.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQB8N60CTM_WS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQB8N60CTM_WS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D²PAK (TO-263AB) |
| سلسلة: | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | FQB8N60CTM_WSDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FQB8N60CTM_WS |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1255pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 36nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 7.5A |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFQB8N60CTM_WS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQB8N60CFTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK | تحقيق |
|
FQB8N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFBF20STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK | تحقيق |
 |
STH320N4F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 | تحقيق |
 |
SI8407DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP | تحقيق |
 |
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
SI4888DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
AOI423 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 15A | تحقيق |
 |
IXTV120N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 | تحقيق |
 |
RSR030N06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 | تحقيق |
|
FQB8N90CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK | تحقيق |
 |
SUP50N10-21P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB | تحقيق |
 |
CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | تحقيق |
 |
NVD4813NHT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK | تحقيق |
|
FQB8N25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog