العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FQD12N20LTM
FQD12N20LTM
FQD12N20LTM
رقم القطعة:
FQD12N20LTM
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15399 Pieces
ورقة البيانات:
1.FQD12N20LTM.pdf2.FQD12N20LTM.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQD12N20LTM ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQD12N20LTM عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQD12N20LTM مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D-Pak
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:280 mOhm @ 4.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta), 55W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:FQD12N20LTM-ND
FQD12N20LTMTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:FQD12N20LTM
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1080pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:21nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFQD12N20LTM

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FQD12N20TM_F080 Image FQD12N20TM_F080 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9A DPAK تحقيق
FQD12P10TM Image FQD12P10TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK تحقيق
FQD12N20LTM_F085 Image FQD12N20LTM_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9A DPAK تحقيق
FQD12N20TM Image FQD12N20TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9A DPAK تحقيق
TPC8065-H,LQ(S Image TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP تحقيق
FQD12N20LTF Image FQD12N20LTF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9A DPAK تحقيق
FQD12N20TF Image FQD12N20TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9A DPAK تحقيق
NTTFS4945NTWG Image NTTFS4945NTWG ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN تحقيق
FQD12P10TF Image FQD12P10TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK تحقيق
FQD12P10TM_F085 Image FQD12P10TM_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK تحقيق

Latest الأخبار