العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FQD13N10LTM
FQD13N10LTM
FQD13N10LTM
رقم القطعة:
FQD13N10LTM
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16840 Pieces
ورقة البيانات:
1.FQD13N10LTM.pdf2.FQD13N10LTM.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQD13N10LTM ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQD13N10LTM عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQD13N10LTM مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D-Pak
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:180 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta), 40W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:FQD13N10LTM-ND
FQD13N10LTMTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:FQD13N10LTM
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:520pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFQD13N10LTM

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FQD13N06LTM Image FQD13N06LTM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 11A DPAK تحقيق
FQD13N10TF Image FQD13N10TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A DPAK تحقيق
FQD13N10TM Image FQD13N10TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A DPAK تحقيق
STD5N60DM2 Image STD5N60DM2 STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., تحقيق
FQD13N06TM Image FQD13N06TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 10A DPAK تحقيق
FQD13N10LTM_NBEL001 Image FQD13N10LTM_NBEL001 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A DPAK تحقيق
FQD13N10LTF Image FQD13N10LTF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A DPAK تحقيق
PN3685 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH TO-92 تحقيق
FQD13N06LTF Image FQD13N06LTF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 11A DPAK تحقيق
IRF1404STRLPBF Image IRF1404STRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK تحقيق
IXFH76N07-12 Image IXFH76N07-12 IXYS MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD تحقيق
FQD13N06TF Image FQD13N06TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 10A DPAK تحقيق

Latest الأخبار