يشترى FQD1N60CTM مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FQD1N60CTM
- رقم القطعة:
- FQD1N60CTM
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18262 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.FQD1N60CTM.pdf2.FQD1N60CTM.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQD1N60CTM ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQD1N60CTM عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | FQD1N60CTM-ND FQD1N60CTMTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FQD1N60CTM |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 170pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.2nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFQD1N60CTM
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD1N60TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | تحقيق |
|
FQD1N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK | تحقيق |
 |
IRLR8103TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 89A DPAK | تحقيق |
 |
IPP25N06S325XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 25A TO-220 | تحقيق |
|
FQD1N80TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK | تحقيق |
|
FQD1N60CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | تحقيق |
 |
STF17NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP | تحقيق |
|
FQD1N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | تحقيق |
 |
SI2302ADS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IRLI630G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP | تحقيق |
|
FQD1N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK | تحقيق |
 |
SIB441EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L | تحقيق |
 |
NTJS3157NT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 | تحقيق |
|
FQD1N80TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog