يشترى FQD4N25TF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FQD4N25TF
- رقم القطعة:
- FQD4N25TF
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13755 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.FQD4N25TF.pdf2.FQD4N25TF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQD4N25TF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQD4N25TF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | Q1585607 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FQD4N25TF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.6nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFQD4N25TF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD4N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | تحقيق |
|
FQD4N25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | تحقيق |
|
FQD4N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | تحقيق |
|
FQD4N25TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | تحقيق |
 |
DMG6968UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 | تحقيق |
|
FQD4N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | تحقيق |
|
FQD4N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | تحقيق |
|
FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | تحقيق |
 |
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 26A SOP8 | تحقيق |
|
FQD4N50TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | تحقيق |
 |
IRF9620STRL | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK | تحقيق |
|
FQD4N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog