FQD5N60CTM_WS
FQD5N60CTM_WS
رقم القطعة:
FQD5N60CTM_WS
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 2.8A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13415 Pieces
ورقة البيانات:
FQD5N60CTM_WS.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQD5N60CTM_WS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQD5N60CTM_WS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQD5N60CTM_WS مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D-Pak
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta), 49W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:FQD5N60CTM_WSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:FQD5N60CTM_WS
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:670pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:19nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount D-Pak
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 2.8A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات