يشترى FQD7P06TM_F080 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FQD7P06TM_F080
- رقم القطعة:
- FQD7P06TM_F080
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17340 Pieces
- ورقة البيانات:
- FQD7P06TM_F080.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQD7P06TM_F080 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQD7P06TM_F080 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 451 mOhm @ 2.7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FQD7P06TM_F080 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 295pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.2nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFQD7P06TM_F080
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD7P06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK | تحقيق |
|
FQD7P06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK | تحقيق |
 |
SI1065X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | تحقيق |
|
FQD7P06TM_NB82050 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK | تحقيق |
 |
PHD36N03LT,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK | تحقيق |
|
FQD7P20TM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | تحقيق |
 |
IXFH170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | تحقيق |
|
FQD7P20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | تحقيق |
 |
IXTP1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 | تحقيق |
|
FQD7P20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | تحقيق |
 |
FQT4N25TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 | تحقيق |
 |
BUK9515-100A,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog